Описание
Купить IGBT SEMiX305TMLI12E4B в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX305TMLI12E4B широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX305TMLI12E4B:
- Chip technology IGBT 4 (Trench)
- Current (A) 300 A
- Dimensions (LxWxH) 130x70x17
- Решение для беспаечной сборки с использованием сигнальных контактов PressFIT и винтовых клемм питания
- Технология IGBT 4 с траншеистым затвором
- VCE(насыщенный) с положительным температурным коэффициентом
- Корпус с низкой индуктивностью
- Надежная механическая конструкция с литыми под давлением клеммами и надежными внутренними соединениями
- UL подтвердил подлинность файла № E63532
- Внутренний датчик температуры NTC
- Housing SEMiX 5p
- Technology IGBT
- Topology 3-Level
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
