Описание
Купить IGBT SKM1200GB17R8S2T6 в Харькове
Транзистор IGBT SKM1200GB17R8S2T6 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM1200GB17R8S2T6:
- Chip technology IGBT R8
- Current (A) – 1200 A
- Dimensions (LxWxH) – 140x100x38
- Открытая стандартная модульная платформа
- Низкие потери и высокая плотность мощности
- Конструкция с низкой индуктивностью
- Идеально подходит для распараллеливания и масштабирования
- Высочайшая надежность
- Спеченная стружка
- Соединительные провода AlCu
- Опорная плита AlSiC
- Housing SEMITRANS 20
- Technology IGBT
- Topology Half-Bridge
- Voltage (V) – 1700 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
