SKM1200GB17E4S2I4

Описание

Купить IGBT SKM1200GB17E4S2I4 в Харькове

Транзистор IGBT SKM1200GB17E4S2I4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM1200GB17E4S2I4:

• Chip technology IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 1200 A
• Dimensions (LxWxH) – 140x100x38
• Открытая стандартная модульная платформа
• Низкие потери и высокая плотность мощности
• Конструкция с низкой индуктивностью
• Идеально подходит для распараллеливания и масштабирования
• Высочайшая надежность
• Housing SEMITRANS 20
• Technology IGBT
• Topology Half-Bridge
• Voltage (V) – 1700 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.