Описание
Купить IGBT SKM200GB12T4SiC2 в Харькове
Транзистор IGBT SKM200GB12T4SiC2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM200GB12T4SiC2:
- Chip technology SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
- Current (A) – 200 A
- Dimensions (LxWxH) – 106x62x31
- IGBT4 = 4. Generation Fast Trench IGBT (Infineon)
- With Silicon Carbide Schottky diodes (ROHM)
- Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
- UL recognized, file no. E63532
- Increased power cycling capability
- With integrated gate resistor
- For higher switching frequencies
- Housing SEMITRANS 3
- Technology Hybrid SiC
- Topology Half-Bridge
- Voltage (V) 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
