Описание
Купить IGBT SKM800GM12M7 в Харькове
Транзистор IGBT SKM800GM12M7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM800GM12M7:
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High overload capability
- Low loss high density IGBTs
- Large clearance (10 mm) and creepage distances (20 mm)
- Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
- UL recognized, file no. E63532
- Max. case temperature limited to TC = TS = 125 °C
- Product reliability results are valid for Tj = 150 °C (recommended Tj,op = -40…+150 °C)
- For storage and case temperature with TIM see document: ″Technical Explanations Thermal Interface
Materials″
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
