SKiiP12NAB12T4V10

Описание

Купить IGBT SKiiP12NAB12T4V10 в Харькове

Транзистор IGBT SKiiP12NAB12T4V10 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKiiP12NAB12T4V10:

• Chip Technology IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 15 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 42x40x16
• Trench 4 IGBTs
• Robust and soft switching freewheeling diodes in CAL technology
• Highly reliable spring contacts for electrical connections
• UL recognized: File no. E63532
• Housing MiniSKiiP II 1
• Inverter up to 12 kVA
• Typical motor power 5,5 kW
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.