SKiiP38GAL12E4V1

Описание

Купить IGBT SKiiP38GAL12E4V1 в Харькове

Транзистор IGBT SKiiP38GAL12E4V1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKiiP38GAL12E4V1:

• Chip Technology IGBT 4 (Trench)
• Current (A) 300 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 82x59x16
• Trench 4 IGBTs
• Robust and soft switching freewheeling diodes in CAL technology
• Highly reliable spring contacts for electrical connections
• UL recognized: File no. E63532
• NTC T-Sensor
• Housing MiniSKiiP II 3
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.