Описание
Купить IGBT SEMiX205BT07F3SC4 в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX205BT07F3SC4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX205BT07F3SC4:
- Chip Technology SiC Diode + IGBT 3 (Trench)
- Dimensions (LLxBBxHH) mm 130x70x17
- Solderless assembling solution with PressFIT signal pins and screw power terminals
- IGBT 3 High Speed Trench Technology
- Silicon Carbide (SiC) Free-wheeling Schottky diodes : Diode 1 (D1…D4)
- Silicon anti-parallel diodes , Diode 2 (D5…D8)
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Low inductance case
- Reliable mechanical design with injection moulded terminals and reliable internal connections
- UL recognized file no. E63532
- NTC temperature sensor inside
- Housing SEMiX 5p
- Voltage (V) – 650 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
