Описание
Купить IGBT SEMiX205GD12E4V2 в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX205GD12E4V2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX205GD12E4V2:
- IGBT 4 (Trench)
- Current (A) – 200 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 130x70x17
- Solderless assembly solution with PressFIT signal pins and screw power terminals
- IGBT 4 Trench Gate Technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Low inductance case
- Reliable mechanical design with injection moulded terminals and robust internal connections
- UL recognized file no. E63532
- NTC temperature sensor inside
- SEMiX 5p
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
