SEMiX205GD12E4V2

Описание

Купить IGBT SEMiX205GD12E4V2 в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX205GD12E4V2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX205GD12E4V2:

• IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 200 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 130x70x17
• Solderless assembly solution with PressFIT signal pins and screw power terminals
• IGBT 4 Trench Gate Technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• Low inductance case
• Reliable mechanical design with injection moulded terminals and robust internal connections
• UL recognized file no. E63532
• NTC temperature sensor inside
• SEMiX 5p
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.