FZ1200R33HE4D_B9

Описание

Купить IGBT FZ1200R33HE4D_B9 в Харькове

Транзистор IGBT FZ1200R33HE4D_B9 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

IHV B 3300 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. The experienced solution for transportation and industry applications.

Технические особенности FZ1200R33HE4D_B9:

• Enlarged diode for regenaration
• 2x PowerCycling vs state of the art
• Fire & smoke EN45545 R22, R23: HL3
• AlSiC base plate with AlN substrate
• Unbeatable dynamic robustness
• For increased thermal cycling
• High short-circuit capability
• Package with CTI > 600
• Low switching losses
• High DC stability
• Tvj op =150°C
• Low VCEsat

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.