Описание
Купить IGBT FP25R12N2T7 в Харькове
Транзистор IGBT FP25R12N2T7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
EconoPIM™ 2 1200 V, 25 A three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
Технические особенности FP25R12N2T7:
- Optimized development cycle time and cost
- Low VCEsat and Low switching losses
- Overload operation up to 175°C
- High reliability and power density
- TRENCHSTOP™ IGBT7
- 2.5 kV AC 1min insulation
- Copper base plate
- High power density
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
