Описание
Купить IGBT FF900R12ME7W в Харькове
Транзистор IGBT FF900R12ME7W широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and wave structure on the base plate. Also available as variant with PressFIT contact technology: FF900R12ME7W_B11.
Технические особенности FF900R12ME7W:
- Wave structure on the baseplate
- Optimized for liquid-cooled heatsinks
- Avoidance of paralleling of IGBT modules
- Highest power density
- Best-in-class VCEsat
- Tvj op = 175°C overload
- Solder pins
- Screw power terminals
- Integrated NTC temperature sensor
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
