SEMiX523GB12M7I26p

Описание

Купить IGBT SEMiX523GB12M7I26p в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX523GB12M7I26p широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX523GB12M7I26p:

• Chip Technology IGBT M7
• Current (A) 525 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm 150x62x17
• Homogeneous Si
• Trench = Trenchgate technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High overload capability
• Low loss high density IGBTs
• Press-fit pins as auxiliary contacts
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMiX 3p shunt
• oltage (V) 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.