Описание
Купить IGBT IXYN82N120C3H1 в Харькове
Транзистор IXYS IXYN82N120C3H1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXYN82N120C3H1:
- High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
- VCES — 1200V
- VCGR — 1200V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 105A
- IC110 — 46A
- IF110 — 42A
- ICM — 320A
- IA — 41A
- PC — 500W
- TJ -55+150C
- TJM +150C
- Tstg -55+150C
- VISOL — 2500/3000V
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
