Описание
Купить IGBT IXXN200N60B3 в Харькове
Транзистор IXYS IXXN200N60B3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXXN200N60B3:
- Extreme Light Punch Through
- IGBT for 10-30kHz Switching
- VCES — 600V
- VCGR — 600V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 280A
- ILRMS — 200A
- IC110 — 160A
- ICM — 1000A
- IA — 100A
- PC — 940W
- TJ -55+175C
- TJM +175C
- Tstg -55+175C
- Weight — 30g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
