Описание
Купить IGBT IXGN82N120B3H1 в Харькове
Транзистор IXYS IXGN82N120B3H1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности IXGN82N120B3H1:
- High-Speed Low-Vsat PT IGBT
- for 3-20 kHz Switching
- GenX3TM
- VCES — 1200V
- VCGR — 1200V
- VGES — 20V
- VGEM — 30V
- IC25 — 145A
- IC25 — 64A
- IF110 — 42A
- ICM — 550A
- IA — 41A
- PC — 595W
- TJ — 55+150C
- TJM +150C
- Weight — 30g/li>
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
