Описание
Купить FZ1200R12HE4P в Харькове
Транзистор IGBT FZ1200R12HE4P широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FZ1200R12HE4P:
- Высокая удельная мощность
- Корпус с CTI > 400
- VCES — 1200V
- IC nom — 1200A
- IC — 1825A
- ICRM — 2400A
- VGES — 20V
- VRRM — 1200V
- IF — 1200A
- IFRM — 2400A
- I²t — 190/195 kA²s
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
