Описание
Купить IGBT FF750R17ME7DP_B11 в Харькове
Транзистор IGBT FF750R17ME7DP_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FF750R17ME7DP_B11:
- VCES = 1700 V
- IC nom = 750 A / ICRM = 1500 A
- Integrated temperature sensor
- High current density
- Low VCE,sat
- Overload operation up to 175°C
- TRENCHSTOPTM IGBT7
- VCE,sat with positive temperature coefficient
- Enlarged diode for regenerative operation
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
