DD1600S33HE4

Описание

Купить IGBT DD1600S33HE4 в Харькове

Транзистор IGBT DD1600S33HE4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

IHV B 3300 V, 1600 A 130 mm diode IGBT module with EC4 – Diode. The best solution for your transportation and industry applications and predestined to be combined with IGBT4 IHV B 3300 V products.

Технические особенности DD1600S33HE4:

• DD+FZ1600 enables 1.6+ MW aircooled
• 1:1 mechanical swap to 130×140 IHV
• Best in class by +40% power output
• 2x PowerCycling vs state of the art
• Fire & smoke EN45545 R22, R23: HL3
• AlSiC base plate with AlN substrate
• 2xPC = 8K more safety buffer
• 2xPC =110% power same lifetime
• High surge current capability
• 2xPC =200% lifetime
• Package with CTI > 600
• High DC stability
• Isolated base plate
• Tvj op =150°C

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.