Описание
Купить IGBT FP75R17N3E4_B20 в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FP75R17N3E4_B20 75A, 1700V широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
EconoPIM™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode and NTC
Технические особенности FP75R17N3E4_B20:
- Trench IGBT 4
- VCES — 1700V
- IC nom — 75A
- ICRM — 150A
- VISOL — 3.4kV
- VGES — 20V
- VCE sat — 1.95/2.30V
- RthJC — 0.327K/W
- Tvj op -40+150C
- VRRM — 1700V
- IF — 75A
- IFRM — 150A
- I2t — 1350/1150 A2s
- Tvj, op -40+150C
- Weight — 300g
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
