Описание
Купить IGBT FP35R12N2T7_B67 в Харькове
Транзистор IGBT Infineon FP35R12N2T7_B67 35A, 1200V широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности FP35R12N2T7_B67:
- TRENCHSTOPTM IGBT7
- Trench IGBT 5
- VCES — 1200V
- IC nom — 35A
- ICRM — 70A
- VISOL — 2.5kV
- VISOL(NTC) — 2.5kV
- VGES — 20V
- VCE sat — 1.60/1,85V
- RthJC — 0.902 K/W
- Tvj op -40+150C
- VRRM — 1200V
- IF — 35A
- IFRM — 70A
- I2t — 205/190 A2s
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
