FF900R17ME7W_B11

Описание

Купить IGBT FF900R17ME7W_B11 в Харькове

Транзистор IGBT FF900R17ME7W_B11 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности FF900R17ME7W_B11:

• VCES = 1700 V
• IC nom = 900 A / ICRM = 1800 A
• Integrated temperature sensor
• High current density
• Overload operation up to 175°C
• TRENCHSTOPTM IGBT7
• VCE,sat with positive temperature coefficient

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.