FF900R12ME7W

Описание

Купить IGBT FF900R12ME7W в Харькове

Транзистор IGBT FF900R12ME7W широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and wave structure on the base plate. Also available as variant with PressFIT contact technology: FF900R12ME7W_B11.

Технические особенности FF900R12ME7W:

• Wave structure on the baseplate
• Optimized for liquid-cooled heatsinks
• Avoidance of paralleling of IGBT modules
• Highest power density
• Best-in-class VCEsat
• Tvj op = 175°C overload
• Solder pins
• Screw power terminals
• Integrated NTC temperature sensor

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.