SKM75GB12M7

Описание

Купить IGBT SKM75GB12M7 в Харькове

Транзистор IGBT SKM75GB12M7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM75GB12M7:

• Chip Technology IGBT M7
• Current (A) – 75 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 94x34x30
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High overload capability
• Low loss high density IGBT´s
• Fast & soft switching inverse CAL diodes
• Large clearance (10 mm) and creepage distances (20 mm)
• Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMITRANS 2
• Switches Half-Bridge
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.