Описание
Купить IGBT SKM600GB12E4D1 в Харькове
Транзистор IGBT SKM600GB12E4D1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM600GB12E4D1:
- Chip technology IGBT 4 (Trench)
- Current (A) – 600 A
- Dimensions (LxWxH) – 106x62x31
- IGBT4 = 4th generation medium fast trench IGBT (Infineon)
- CAL4HD = 4th generation high density (HD) CAL-diode optimized for low static losses
- Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
- Increased power cycling capability
- With integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 6kHz
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMITRANS 3
- Technology IGBT
- Topology Half-Bridge
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
