Описание
Купить IGBT SKM600GA12F4 в Харькове
Транзистор IGBT SKM600GA12F4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM600GA12F4:
- Chip technology IGBT 4 High Speed (Trench)
- Current (A) – 600 A
- Dimensions (LxWxH) – 106x62x37
- Высокоскоростной траншейный и полевой IGBT-транзистор
- Сверхбыстрое = мягкое переключение 4-го поколения CAL-диодов
- Изолированная медная пластина с использованием технологии DBC (прямое медное соединение)
- Увеличенная возможность циклирования мощности
- Для более высоких частот переключения свыше 15 кГц
- Сертификат UL, номер файла E63532
- Housing SEMITRANS 4
- Technology IGBT
- Topology Single Switch
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
