SKM200GB12M7G

Описание

Купить IGBT SKM200GB12M7G в Харькове

Транзистор IGBT SKM200GB12M7G широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM200GB12M7G:

• Chip technology IGBT M7
• Current (A) – 200 A
• Dimensions (LxWxH) – 106x62x31
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High overload capability
• Low loss high density IGBT´s
• Fast & soft switching inverse CAL diodes
• Large clearance (10 mm) and creepage distances (20 mm)
• Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMITRANS 3
• Technology IGBT
• Topology Half-Bridge
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.