Описание
Купить IGBT SKM200GB12M7 в Харькове
Транзистор IGBT SKM200GB12M7 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM200GB12M7:
- Chip technology IGBT M7
- Current (A) – 200 A
- Dimensions (LxWxH) – 94x34x30
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High overload capability
- Low loss high density IGBT´s
- Fast & soft switching inverse CAL diodes
- Large clearance (10 mm) and creepage distances (20 mm)
- Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMITRANS 2
- Technology IGBT
- Topology Half-Bridge
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
