SKM200GAL12VL2

Описание

Купить IGBT SKM200GAL12VL2 в Харькове

Транзистор IGBT SKM200GAL12VL2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM200GAL12VL2:

• Chip Technology V-IGBT
• Current (A) – 200 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 94x34x30
• V-IGBT = 6. Generation Trench V-IGBT (Fuji)
• CAL4 = Soft switching 4. Generation CAL-diode
• Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
• Increased power cycling capability
• With integrated gate resistor
• UL recognized, file no. E63532
• Lowest switching losses at High di/dt
• Housing SEMITRANS 2
• Switches Chopper/Booster
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.