Описание
Купить IGBT SKM200GAL12VL2 в Харькове
Транзистор IGBT SKM200GAL12VL2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM200GAL12VL2:
- Chip Technology V-IGBT
- Current (A) – 200 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 94x34x30
- V-IGBT = 6. Generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4. Generation CAL-diode
- Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
- Increased power cycling capability
- With integrated gate resistor
- UL recognized, file no. E63532
- Lowest switching losses at High di/dt
- Housing SEMITRANS 2
- Switches Chopper/Booster
- Technology IGBT
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
