Описание
Купить IGBT SKM200GAL12F4SiC3 в Харькове
Транзистор IGBT SKM200GAL12F4SiC3 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM200GAL12F4SiC3:
- Chip Technology SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
- Current (A) – 200 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 106x62x31
- IGBT4 = 4. Generation Fast Trench (High Speed) IGBT (Infineon)
- With Silicon Carbide Schottky diodes (ROHM)
- Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
- UL recognized, file no. E63532
- With integrated gate resistor
- For higher switching frequencies
- Housing SEMITRANS 3
- Switches Chopper/Booster
- Technology Hybrid SiC
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
