SKM1800GB12M7ST

Описание

Купить IGBT SKM1800GB12M7ST в Харькове

Транзистор IGBT SKM1800GB12M7ST широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM1800GB12M7ST:

• VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
• Конструкция модуля с низкой индуктивностью
• Высокая перегрузочная способность
• Высокая механическая надежность
• Dimensions (LxWxH) – 250x90x38
• Chip technology IGBT M7
• Current (A) – 1800 A
• Housing SEMITRANS 10
• Technology IGBT
• oltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.