SKM150GAR12F4G

Описание

Купить IGBT SKM150GAR12F4G в Харькове

Транзистор IGBT SKM150GAR12F4G широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM150GAR12F4G:

• Chip Technology IGBT 4 High Speed (Trench)
• Current (A) – 150 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 106x62x31
• High speed trench and field-stop IGBT
• CAL4 ultra-fast = soft switching 4. generation CAL-diode
• Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
• Increased power cycling capability
• For higher switching frequencies above 15kHz
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMITRANS 3
• Switches Chopper/Booster
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.