Описание
Купить IGBT SKM150GAL12F4G в Харькове
Транзистор IGBT SKM150GAL12F4G широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKM150GAL12F4G:
- Chip Technology IGBT 4 High Speed (Trench)
- Current (A) – 150 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 106x62x31
- High speed trench and field-stop IGBT
- CAL4 ultra-fast = soft switching 4. generation CAL-diode
- Insulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
- Increased power cycling capability
- For higher switching frequencies above 15kHz
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMITRANS 3
- Switches Chopper/Booster
- Technology IGBT
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
