SKM1200GB17R8S2T6

Описание

Купить IGBT SKM1200GB17R8S2T6 в Харькове

Транзистор IGBT SKM1200GB17R8S2T6 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM1200GB17R8S2T6:

• Chip technology IGBT R8
• Current (A) – 1200 A
• Dimensions (LxWxH) – 140x100x38
• Открытая стандартная модульная платформа
• Низкие потери и высокая плотность мощности
• Конструкция с низкой индуктивностью
• Идеально подходит для распараллеливания и масштабирования
• Высочайшая надежность
• Спеченная стружка
• Соединительные провода AlCu
• Опорная плита AlSiC
• Housing SEMITRANS 20
• Technology IGBT
• Topology Half-Bridge
• Voltage (V) – 1700 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.