SKM1000GB17R8H1

Описание

Купить IGBT SKM1000GB17R8H1 в Харькове

Транзистор IGBT SKM1000GB17R8H1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKM1000GB17R8H1:

• Chip Technology IGBT R8
• Current (A) – 1000 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 250x90x38
• Symmetrical current sharing
• Low-inductive module design
• High mechanical robustness
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMITRANS 10
• Switches Half-Bridge
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 1700 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.