Описание
Купить IGBT SKiM609GAR12E4 V2 в Харькове
Транзистор IGBT SKiM609GAR12E4 V2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKiM609GAR12E4 V2:
- Chip Technology IGBT 4 (Trench)
- Current (A) – 600 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 160x150x35
- IGBT 4 Trench Gate Technology
- Solderless sinter technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Low inductance case
- Insulated by Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) ceramic substrate
- Pressure contact technology for thermal contacts
- Spring contact system to attach driver PCB to the control terminals
- High short circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Integrated temperature sensor
- Housing SKIM 93
- Product Status In production new
- Switches Chopper/Booster
- Technology IGBT
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
