SKiM609GAR12E4 V2

Описание

Купить IGBT SKiM609GAR12E4 V2 в Харькове

Транзистор IGBT SKiM609GAR12E4 V2 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKiM609GAR12E4 V2:

• Chip Technology IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 600 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 160x150x35
• IGBT 4 Trench Gate Technology
• Solderless sinter technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• Low inductance case
• Insulated by Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) ceramic substrate
• Pressure contact technology for thermal contacts
• Spring contact system to attach driver PCB to the control terminals
• High short circuit capability, self limiting to 6 x IC
• Integrated temperature sensor
• Housing SKIM 93
• Product Status In production new
• Switches Chopper/Booster
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.