Описание
Купить IGBT SKiM459GD12F4V4 в Харькове
Транзистор IGBT SKiM459GD12F4V4 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKiM459GD12F4V4:
- Chip Technology SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
- Current (A) – 450 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 160x150x35
- IGBT 4 Fast
- SiC Schottky free-wheeling diodes, 6 diodes per switch
- Solderless sinter technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Low inductance case
- Insulated by Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) ceramic substrate
- Pressure contact technology for thermal contacts
- Spring contact system to attach driver PCB to the control terminals
- High short circuit capability
- Integrated temperature sensor
- UL recognized: File no. E63532
- Housing SKiM 93
- Switches Sixpack
- Technology Hybrid SiC
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
