Описание
Купить IGBT SKiiP38GAL12E4V1 в Харькове
Транзистор IGBT SKiiP38GAL12E4V1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SKiiP38GAL12E4V1:
- Chip Technology IGBT 4 (Trench)
- Current (A) 300 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 82x59x16
- Trench 4 IGBTs
- Robust and soft switching freewheeling diodes in CAL technology
- Highly reliable spring contacts for electrical connections
- UL recognized: File no. E63532
- NTC T-Sensor
- Housing MiniSKiiP II 3
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
