SKiiP 13NAB12T7V1

Описание

Купить IGBT SKiiP 13NAB12T7V1 в Харькове

Транзистор IGBT SKiiP 13NAB12T7V1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SKiiP 13NAB12T7V1:

• Chip Technology IGBT T7
• Current (A) – 25 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 42x40x16
• 1200V Generation 7 IGBTs (T7)
• Robust and soft switching freewheeling diodes in CAL technology
• New SKR PEP diode technology for enhanced power and environmental robustness
• Highly reliable spring contacts for electrical connections
• UL recognized: File no. E63532
• Housing MiniSKiiP II 1
• Switches CIB
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.