SK25GD12F4ETp

Описание

Купить IGBT SK25GD12F4ETp в Харькове

Транзистор IGBT SK25GD12F4ETp широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SK25GD12F4ETp:

• Chip Technology IGBT 4 Fast (Trench)
• Current (A) 25 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 31x55x12
• One screw mounting module
• Solder free mounting with Press-Fit terminals
• Fully compatible with other SEMITOP® Press-Fit types
• Trench4 IGBT technology
• CAL4F technology FWD
• Integrated NTC temperature sensor
• UL recognized, file no. E 63 532
• Housing SEMITOP 3
• Switches Sixpack
• Technology IGBT
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.