Описание
Купить IGBT SK25DGD12T7ETE2s в Харькове
Транзистор IGBT SK25DGD12T7ETE2s широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SK25DGD12T7ETE2s:
- Chip Technology IGBT T7
- Current (A) – 25 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 63x57x12
- Optimized design for superior thermal performance
- Low inductive design
- Solder contact technology
- 1200V Generation 7 IGBT (T7)
- Robust and soft switching CAL4F diode technology
- PEP rectifier diode technology for enhanced power and environmental robustness
- Integrated NTC temperature sensor
- UL recognized file no. E 63 532
- Housing SEMITOP E2 Solder
- Switches CIB
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
