Описание
Купить IGBT SK10DGD12T7ETE1s в Харькове
Транзистор IGBT SK10DGD12T7ETE1s широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SK10DGD12T7ETE1s:
- Chip Technology IGBT T7
- Current (A) – 10 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 63x34x12
- Housing SEMITOP E1 Solder
- Switches CI
- Technology IGBT
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
