Описание
Купить IGBT SEMiX903GAL17E7pV1 в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX903GAL17E7pV1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX903GAL17E7pV1:
- Chip Technology IGBT T7
- Current (A) – 900 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 150x62x17
- Homogeneous Si
- Trench = Trenchgate technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High short circuit capability
- Press-fit pins as auxiliary contacts
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMiX 3p
- Voltage (V) – 1700 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
