SEMiX903GAL17E7pV1

Описание

Купить IGBT SEMiX903GAL17E7pV1 в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX903GAL17E7pV1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX903GAL17E7pV1:

• Chip Technology IGBT T7
• Current (A) – 900 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 150x62x17
• Homogeneous Si
• Trench = Trenchgate technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High short circuit capability
• Press-fit pins as auxiliary contacts
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMiX 3p
• Voltage (V) – 1700 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.