SEMiX703GB12M7HDp

Описание

Купить IGBT SEMiX703GB12M7HDp в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX703GB12M7HDp широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX703GB12M7HDp:

• Chip Technology IGBT M7
• Current (A) 700 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 150x62x17
• Homogeneous Si
• Trench = Trenchgate technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High overload capability
• Low loss high density IGBTs
• Press-fit pins as auxiliary contacts
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMiX 3p
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.