SEMiX603GB12E4SiCp

Описание

Купить IGBT SEMiX603GB12E4SiCp в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX603GB12E4SiCp широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX603GB12E4SiCp:

• Chip Technology SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
• Current (A) 600 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 150x62x17
• With Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes
• Homogeneous Si
• Trench = Trenchgate technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• Press-fit pins as auxiliary contacts
• Thermally optimized ceramic
• UL recognized, file no. E63532
• Housing SEMiX 3p
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.