Описание
Купить IGBT SEMiX603GB12E4SiCp в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX603GB12E4SiCp широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX603GB12E4SiCp:
- Chip Technology SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
- Current (A) 600 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 150x62x17
- With Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes
- Homogeneous Si
- Trench = Trenchgate technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Press-fit pins as auxiliary contacts
- Thermally optimized ceramic
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMiX 3p
- Voltage (V) – 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
