Описание
Купить IGBT SEMiX586D16p в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX586D16p широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX586D16p:
- New SKR PEP diode technology for enhanced power and environmental robustness
- Chips soldered directly to insulated substrate
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 122x62x17
- UL recognized file no. E63532
- NTC temperature sensor
- Surge Current (A) 4200 A
- Terminal height 17 mm
- Voltage (V) – 1600 V
- Current (A) 650 A
- Housing SEMiX 6p
- Tjmax = 150°C
- Press-Fit pins
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
