SEMiX586D16p

Описание

Купить IGBT SEMiX586D16p в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX586D16p широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX586D16p:

• New SKR PEP diode technology for enhanced power and environmental robustness
• Chips soldered directly to insulated substrate
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 122x62x17
• UL recognized file no. E63532
• NTC temperature sensor
• Surge Current (A) 4200 A
• Terminal height 17 mm
• Voltage (V) – 1600 V
• Current (A) 650 A
• Housing SEMiX 6p
• Tjmax = 150°C
• Press-Fit pins

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.