Описание
Купить IGBT SEMiX523GB12M7I26p в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX523GB12M7I26p широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX523GB12M7I26p:
- Chip Technology IGBT M7
- Current (A) 525 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm 150x62x17
- Homogeneous Si
- Trench = Trenchgate technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High overload capability
- Low loss high density IGBTs
- Press-fit pins as auxiliary contacts
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMiX 3p shunt
- oltage (V) 1200 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
