SEMiX305TMLI17E4CV1

Описание

Купить IGBT SEMiX305TMLI17E4CV1 в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX305TMLI17E4CV1 широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX305TMLI17E4CV1:

• IGBT 4 (Trench)
• Current (A) – 300 A
• Dimensions (LLxBBxHH) mm – 130x70x17
• Solderless assembling solution with PressFIT signal pins and screw power terminals
• IGBT 4 Trench Gate Technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• Low inductance case
• Reliable mechanical design with injection moulded terminals and reliable internal connections
• UL recognized file no. E63532
• NTC temperature sensor inside
• Housing SEMiX 5p
• Voltage (V) – 1700 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.