SEMiX305TMLI12E4B

Описание

Купить IGBT SEMiX305TMLI12E4B в Харькове

Транзистор IGBT SEMiX305TMLI12E4B широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.

Технические особенности SEMiX305TMLI12E4B:

• Chip technology IGBT 4 (Trench)
• Current (A) 300 A
• Dimensions (LxWxH) 130x70x17
• Решение для беспаечной сборки с использованием сигнальных контактов PressFIT и винтовых клемм питания
• Технология IGBT 4 с траншеистым затвором
• VCE(насыщенный) с положительным температурным коэффициентом
• Корпус с низкой индуктивностью
• Надежная механическая конструкция с литыми под давлением клеммами и надежными внутренними соединениями
• UL подтвердил подлинность файла № E63532
• Внутренний датчик температуры NTC
• Housing SEMiX 5p
• Technology IGBT
• Topology 3-Level
• Voltage (V) – 1200 V

Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.