Описание
Купить IGBT SEMiX303GB17E7p в Харькове
Транзистор IGBT SEMiX303GB17E7p широко применяется в различных сферах высоковольтной радиоэлектроники и заслуженно занимает место одних из востребованных на сегодняшнем рынке IGBT модулей.
Технические особенности SEMiX303GB17E7p:
- Chip Technology IGBT 4 (Trench)
- Current (A) – 300 A
- Dimensions (LLxBBxHH) mm – 150x62x17
- Homogeneous Si
- Trench = Trenchgate technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High short circuit capability
- Press-fit pins as auxiliary contacts
- UL recognized, file no. E63532
- Housing SEMiX 3p
- Voltage (V) 1700 V
Закажите интересующие Вас IGBT транзисторы на нашем сайте! Быстрая поставка силовых модулей под заказ.
